半導(dǎo)體器件物理？學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理通常需要一些前置課程，這些課程包括：基礎(chǔ)物理（力學(xué)、熱力學(xué)、光學(xué)、電磁學(xué)等基礎(chǔ)知識(shí)），基礎(chǔ)化學(xué)（無機(jī)化學(xué)、有機(jī)化學(xué)、物理化學(xué)等基礎(chǔ)知識(shí)），數(shù)學(xué)（微積分、線性代數(shù)、概率論與數(shù)理統(tǒng)計(jì)等基礎(chǔ)知識(shí)），電子學(xué)（電路分析、模擬電路、數(shù)字電路等基礎(chǔ)知識(shí)），固態(tài)物理（晶體結(jié)構(gòu)、晶體缺陷、那么，半導(dǎo)體器件物理？一起來了解一下吧。
《半導(dǎo)體器件物理》由淺入深、系統(tǒng)地介紹了常用半導(dǎo)體器件的工作原理和工作特性。
為便于讀者自學(xué)和參考，《半導(dǎo)體器件物理》首先介紹了學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必需的半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體物理的基本知識(shí)；然后重點(diǎn)論述了PN結(jié)、雙極性三極管、MOS場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管的各項(xiàng)性能指標(biāo)參數(shù)及其與半導(dǎo)體材料參數(shù)、工藝參數(shù)及器件幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)的關(guān)系：最后簡要講述了常用的一些其他半導(dǎo)體器件(如功率MOSFET、IGBT和光電器件)的原理及應(yīng)用。
半導(dǎo)體器件的材料物理學(xué)基礎(chǔ)，是半導(dǎo)體材料學(xué)、半導(dǎo)體物理學(xué)與半導(dǎo)體器件物理學(xué)的融合領(lǐng)域。它關(guān)注材料的制備與加工過程如何影響其物理性質(zhì)，以及這些性質(zhì)如何與器件性能相互作用。該領(lǐng)域的核心內(nèi)容圍繞半導(dǎo)體器件的視角，探討基本物理問題，例如半導(dǎo)體材料的基本參數(shù)及其對(duì)器件特性的決定性作用。
《半導(dǎo)體器件的材料物理學(xué)基礎(chǔ)》特別關(guān)注如何通過評(píng)價(jià)材料的品質(zhì)因子，以滿足器件對(duì)材料基本屬性的需求，進(jìn)而深入討論器件的材料優(yōu)化策略。它強(qiáng)調(diào)通過雜質(zhì)工程和能帶工程，提升材料的性能，以優(yōu)化器件的工作特性。此外，教材還介紹了在器件制造過程中常用的關(guān)鍵材料特性檢測方法和技術(shù)，幫助我們充分利用材料的潛力。
作為大學(xué)電子類專業(yè)研究生學(xué)習(xí)“半導(dǎo)體材料物理學(xué)”的重要教材，這本書也適合作為其他相關(guān)課程的補(bǔ)充資料。對(duì)于半導(dǎo)體器件與微電子學(xué)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員，以及材料科學(xué)與工程和應(yīng)用物理領(lǐng)域的研究人員，它提供了寶貴的理論與實(shí)踐參考，幫助他們理解和提升在實(shí)際工作中的技術(shù)水平。
《半導(dǎo)體器件物理》內(nèi)容簡介如下：
理論基礎(chǔ)：
半導(dǎo)體材料特性：詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)，為后續(xù)內(nèi)容打下基礎(chǔ)。
PN結(jié)：深入探討了PN結(jié)的形成、特性及其在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用。
半導(dǎo)體表面特性：分析了半導(dǎo)體表面的物理和化學(xué)性質(zhì)，以及這些特性對(duì)器件性能的影響。
晶體管結(jié)構(gòu)與工作原理：
雙極型晶體管：系統(tǒng)闡述了雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理及其在電路中的應(yīng)用。
MOS型晶體管：詳細(xì)介紹了MOS型晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理和性能特點(diǎn)，特別是其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要地位。
其他半導(dǎo)體器件：
除了雙極型和MOS型晶體管外，本書還關(guān)注了其他類型的半導(dǎo)體器件，為讀者提供了全面的視角和深入的理解。
理論與實(shí)踐結(jié)合：
本書在編寫時(shí)強(qiáng)調(diào)物理概念與實(shí)際過程的融合，力求理論與實(shí)踐相結(jié)合。
結(jié)合工藝和版圖知識(shí)，幫助讀者理解半導(dǎo)體器件的制造過程，增強(qiáng)實(shí)踐能力。
教學(xué)資源豐富：
每一章節(jié)都配以實(shí)驗(yàn)，為教學(xué)提供了豐富的資源，有助于讀者更好地理解和掌握半導(dǎo)體器件物理的知識(shí)。
適用對(duì)象：
本書旨在成為微電子技術(shù)及相關(guān)專業(yè)學(xué)生的理想教材，同時(shí)也為半導(dǎo)體行業(yè)工程技術(shù)人員提供有價(jià)值的參考。無論是初學(xué)者還是專業(yè)人士，都能從中獲得深入的理論知識(shí)和實(shí)用的應(yīng)用指導(dǎo)。
半導(dǎo)體器件物理目錄主要包括以下部分：
第1章 半導(dǎo)體特性
1.1 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
1.2 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
1.3 雜質(zhì)和缺陷
1.4 熱平衡載流子
1.5 非平衡載流子
1.6 載流子的運(yùn)動(dòng)
實(shí)驗(yàn)：晶體缺陷的觀測、少數(shù)載流子壽命的測量
第2章 PN結(jié)
2.1 平衡PN結(jié)
2.2 PN結(jié)的直流特性
2.3 PN結(jié)電容
2.4 PN結(jié)的擊穿特性
2.5 二極管的開關(guān)作用和反向恢復(fù)時(shí)間
實(shí)驗(yàn)：PN結(jié)伏安特性與溫度效應(yīng)、PN結(jié)勢壘電容的測量
第3章 半導(dǎo)體的表面特性
3.1 半導(dǎo)體表面與SiSiO2系統(tǒng)
3.2 表面空間電荷區(qū)與表面勢
3.3 MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓
3.4 MOS結(jié)構(gòu)的CV特性
3.5 金屬與半導(dǎo)體接觸
實(shí)驗(yàn)：MOS電容的測量、SBD二極管伏安特性的測量
第4章 雙極型晶體管及其特性
4.1 晶體管結(jié)構(gòu)與工作原理
4.2 晶體管的直流特性
4.3 晶體管的頻率特性
4.4 晶體管的功率特性
4.5 晶體管的開關(guān)特性
4.6 晶體管的版圖和工藝流程
實(shí)驗(yàn)：圖示儀測試晶體管的特性曲線、晶體管直流參數(shù)的測量
第5章 MOS場效應(yīng)晶體管
5.1 MOS晶體管的結(jié)構(gòu)與分類
5.2 MOS晶體管的閾值電壓
5.3 MOS晶體管輸出伏安特性與直流參數(shù)
5.4 MOS晶體管頻率特性與交流小信號(hào)參數(shù)
5.5 MOS晶體管版圖及其結(jié)構(gòu)特征
5.6 小尺寸集成MOS晶體管的幾個(gè)效應(yīng)
實(shí)驗(yàn)：MOS晶體管閾值電壓VT的測量、MOS晶體管輸出伏安特性曲線的測量
第6章 其他常用半導(dǎo)體器件簡介
6.1 達(dá)林頓晶體管
6.2 功率MOS晶體管
6.3 絕緣柵雙極晶體管
6.4 發(fā)光二極管
6.5 太陽能電池
附錄
XJ4810型半導(dǎo)體管特性圖示儀面板功能
參考文獻(xiàn)
《半導(dǎo)體器件物理》內(nèi)容簡介如下：
基礎(chǔ)理論與材料介紹：本書首先詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料和基本物理原理，這些內(nèi)容為后續(xù)學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件的工作原理和特性打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
核心器件性能分析：
PN結(jié)：詳細(xì)論述了PN結(jié)的性能指標(biāo)及其與半導(dǎo)體材料參數(shù)的關(guān)系。
雙極性三極管：深入探討了雙極性三極管的性能指標(biāo)及其與工藝參數(shù)、器件幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)的關(guān)系。
MOS場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管：同樣對(duì)這兩種器件的性能指標(biāo)及其相關(guān)參數(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的論述，幫助讀者理解各參數(shù)如何影響器件性能。
其他常用半導(dǎo)體器件：除了上述核心器件外，本書還簡要介紹了其他一些常用的半導(dǎo)體器件，如功率MOSFET、IGBT和光電器件，以及它們的工作原理和應(yīng)用，為讀者提供了更全面的半導(dǎo)體器件知識(shí)體系。
適用人群與價(jià)值：本書不僅適合于想要深入學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件的讀者，也非常適合自學(xué)和作為參考書籍使用。通過本書的學(xué)習(xí)，讀者可以全面了解半導(dǎo)體器件的工作原理、性能參數(shù)以及應(yīng)用，為在相關(guān)領(lǐng)域的工作或研究打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。同時(shí)，書中詳盡的論述和實(shí)例分析也有助于提高讀者的學(xué)習(xí)效率和實(shí)踐能力。
以上就是半導(dǎo)體器件物理的全部內(nèi)容，學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理的前置課程主要包括以下幾門：基礎(chǔ)物理：涵蓋了力學(xué)、熱力學(xué)、光學(xué)、電磁學(xué)等領(lǐng)域的基礎(chǔ)知識(shí)，為理解半導(dǎo)體器件的物理現(xiàn)象提供必要的基礎(chǔ)。基礎(chǔ)化學(xué)：涉及無機(jī)化學(xué)、有機(jī)化學(xué)、物理化學(xué)等內(nèi)容，有助于理解半導(dǎo)體材料的特性及其在器件中的應(yīng)用。數(shù)學(xué)：包括微積分、線性代數(shù)、內(nèi)容來源于互聯(lián)網(wǎng)，信息真?zhèn)涡枳孕斜鎰e。如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。
